|
Meyer Burger Technology AG (SIX Swiss Exchange: MBTN) gab heute bekannt, dass sie erfolgreich einen strategischen Vertrag mit einem führenden asiatischen Zellhersteller für die Lieferung von HELiAPECVD und HELiAPVD Beschichtungsanlagen im Wert von rund CHF 14 Mio. abgeschlossen hat. Der Neukunde vertraut für die Produktion von Hochleistungs-Heterojunction-Solarzellen auf die technologisch fortschrittlichen Anlagen und das umfassende Knowhow von Meyer Burger. Die Anlagen des Typs HELiA mit disruptiven Zellbeschichtungstechnologie bilden die Kernkomponenten einer Produktionslinie für die Herstellung von Heterojunction-Solarzellen. Die Produktionslinie verfügt über einen Output von 2400 Wafer/h. HJT-Solarzellen verfügen über einen sehr hohen Wirkungsgrad von aktuell >21 Prozent sowie einen sehr niedrigen Temperaturkoeffizienten von rund 0.20%/K und werden vom Kunden insbesondere für Dachflächennutzung eingesetzt. Die Lieferung der Anlagen ist für das erste Quartal 2014 vorgesehen.
HELiAPECVD - Maximale Passivierung
Den Schlüssel für die Produktion von hocheffizienten Heterojunction-Solarzellen bilden hochwertige amorphe Siliziumschichten (a-Si). Mit dem Anlagentyp HELiAPECVD können sowohl intrinsische a-Si-Schichten für die Passivierung als auch dotierte Schichten für die Herstellung der elektrischen Strukturen von Heterojunction-Zellen abgeschieden werden. Die Abscheidung der a-Si-Schichten erfolgt mittels PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) in einem quasi-kontinuierlichen Prozess. Dafür wurde von Roth & Rau ein spezieller, patentierter Plasmareaktor - der S-Cube - entwickelt. Dieser garantiert eine homogene Abscheidung von a-Si-Schichten mit ausgezeichneten Passivierungs- und elektrischen Eigenschaften.
HELiAPVD - Low Cost TCO-Beschichtung
Die Kontaktierung von Heterojunction-Zellen erfolgt beidseitig mittels transparenter, leitfähiger Oxidschichten (TCO), die mittels PVD (Physical Vapour Deposition, im speziellen Magnetronsputtern) in einem kontinuierlich laufenden Prozess abgeschieden werden. In der HELiAPVD Sputteranlage können nacheinander verschiedene Kontaktschichten (auch Mehrfachschichten) auf der Vorder- und Rückseite der Wafer abgeschieden werden, wobei zwischen den Beschichtungsprozessen kein Wenden der Wafer erforderlich ist. Durch den Einsatz von zylinderförmigen Sputtermagnetrons wird eine hohe Targetausnutzung von über 85% erreicht, was einen kosteneffizienten Beschichtungsprozess gewährleistet.
| 